ПРИЛОЖЕНИЕ НА НОВИ ГЕНЕРАЦИИ СИЛОВИ MOSFETS И IGBTS В ЗАВИСИМОСТ ОТ ПРИЛОЖЕНИЕТО ИМ
| dc.contributor.author | Марева, Даниела | |
| dc.date.accessioned | 2025-03-25T09:55:36Z | |
| dc.date.issued | 2017 | |
| dc.description.abstract | В полупроводниковите преобразуватели на електроенергия, работещи при по-високи честоти, определянето на загуби в силовите полупроводникови вентили е от особена важност. Резонансната и квазирезонансната комутация на вентилите позволява да се намалят тези загуби и да се увеличи диапазона от работни честоти на електронните устройства, повишава надеждността и подобрява електромагнитната съвместимост от мрежата и към товара. Работата на силовите транзистори в мощните инвертори на напрежение и превключване при нулево напрежение имат особености, които трябва да се взимат в предвид и налагат използването на специални методи за управление. | |
| dc.identifier.issn | 1311-221X | |
| dc.identifier.uri | http://research.bfu.bg:4000/handle/123456789/1048 | |
| dc.language.iso | bg | |
| dc.publisher | Бургаски свободен университет | |
| dc.relation.ispartofseries | vol. XXXVI; p.246 | |
| dc.subject | transistors MOSFETs | |
| dc.subject | IGBTs | |
| dc.subject | power switches | |
| dc.subject | аpplication | |
| dc.title | ПРИЛОЖЕНИЕ НА НОВИ ГЕНЕРАЦИИ СИЛОВИ MOSFETS И IGBTS В ЗАВИСИМОСТ ОТ ПРИЛОЖЕНИЕТО ИМ | |
| dc.title.alternative | APPLICATION OF NEW GENERATIONS OF MOSFETS AND IGBTS, POWER SWITCHES, DEPENDING ON THEIR APPLICATION | |
| dc.type | Article |