СРАВНИТЕЛЕН АНАЛИЗ НА ФУНКЦИОНАЛНИТЕ И ИКОНОМИЧЕСКИ ПАРАМЕТРИ IGBT И MOSFET КЛЮЧОВЕ

Abstract

Статията представя обзор и сравнение на най-популярните към момента електронни ключове за силовата електроника: биполярните транзистори с изолиран гейт (IGBT) и полевите транзистори с изолиран гейт (MOSFET). Изследването включва представителна извадка, формирана от наличните на пазара компоненти и снета за периода 2008 до 2013 година (общо над 1200 прибора). Анализирани и сравнени са основните функционални характеристики на приборите и тяхното развитие за този период: максимални параметри, комутирана мощност, загуби и цена. От направения анализ са формирани изводи за преобладаващите предимства: IGBT са с по-голямо разнообразие, по-ниска цена, по-малки общите загуби за единица комутирана мощност, а MOSFET със сравнително по-малки загуби от проводимост. Натрупаната база данни за над 1200 прибора е достъпна на интернет адрес: http://www.tuvarna.bg/tu-varnaetm/images/Research/Valchev/transistor%20data.rar .