|
Research at Burgas Free University >
1. Годишници на БСУ / BFU Yearbooks >
2017 >
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://research.bfu.bg:8080/jspui/handle/123456789/1181
|
| Title: | ПРИЛОЖЕНИЕ НА НОВИ ГЕНЕРАЦИИ СИЛОВИ MOSFETS И IGBTS В ЗАВИСИМОСТ ОТ ПРИЛОЖЕНИЕТО ИМ |
| Other Titles: | APPLICATION OF NEW GENERATIONS OF MOSFETS AND IGBTS, POWER SWITCHES, DEPENDING ON THEIR APPLICATION |
| Authors: | Марева, Даниела |
| Keywords: | transistors MOSFETs
IGBTs
power switches
аpplication |
| Issue Date: | 2017 |
| Publisher: | Бургаски свободен университет, 8000 Бургас, ул. "Сан Стефано" №62 |
| Citation: | https://www.bfu.bg/uploads/pages/godichnik-final-b5.pdf |
| Series/Report no.: | ТОМ XXXVI;с. 246-250 |
| Description: | В полупроводниковите преобразуватели на електроенергия, работещи при по-високи честоти, определянето на загуби в силовите полупроводникови вентили е от особена важност. Резонансната и квазирезонансната комутация на вентилите позволява да се намалят тези загуби и да се увеличи диапазона от работни честоти на електронните устройства, повишава надеждността и подобрява електромагнитната съвместимост от мрежата и към товара. Работата на силовите транзистори в мощните инвертори на напрежение и превключване при нулево напрежение имат особености, които трябва да се взимат в предвид и налагат използването на специални методи за управление. |
| URI: | http://research.bfu.bg:8080/jspui/handle/123456789/1181 |
| ISSN: | 1311-221X |
| Appears in Collections: | 2017
|
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
|
