DSpace           
 

Research at Burgas Free University >
2. Издания на БСУ от международни конференции / Collection of Papers of BFU from International Conferences >
2024. Мултидисциплинарни иновации за социални промени: образователни трансформации и предприемачество >
Направления 9-10 >

Please use this identifier to cite or link to this item: http://research.bfu.bg:8080/jspui/handle/123456789/1972

Title: ИЗСЛЕДВАНЕ ЕФЕКТА ОТ НЕРАВНОВЕСЕН ПРОЦЕС ВЪРХУ ТРИБОЛОГИЧНИТЕ СВОЙСТВА НА ЧИСТИ И ЛЕГИРАНИ ta-C ПОКРИТИЯ ПРИ ПРИЛАГАНЕ НА ИМПУЛСНО-ДЪГОВО КАТОДНО РАЗПРАШАВАНЕ
Authors: Ивайло, Долчинков
Keywords: Тетрахедрален аморфен Въглерод (ta-C)
Нанасяне на филми чрез импулсно-дъгова технология
Легиран тетрахедрален аморфен въглерод (ta-C)
Tetrahedral amorphous Carbon
ta-C
Pulsed arc deposition
Doped ta-C
Issue Date: 20-Nov-2024
Series/Report no.: Конференция 2024;583-598
Abstract: Свободни от водород тетрахедрални аморфни въглеродни покрития (ta C), легирани с волфрам (W) и бор (B) бяха отложени чрез специална импулсно-дъгова технология, базирана на неравновесен процес. Тяхната структура се определя глав но от енергията на бомбардиране с въглеродни йони по субстрата и последващия ефект на релаксация, свързан с температурата на покритието по време на отла гане. В допълнение, дълбочината на имплантиране е силно повлияна от ъгъла на падане на йоните. Скоростта на отлагане беше проверена за импулси с различни характеристики, както за C катоди, така и за С катоди легирани с B и W. Има ясен ефект, че скоростта на отлагане над определена прагова стойност влияе отрица телно върху твърдостта.
Description: Hydrogen-free tetrahedral bonded amorphous Carbon films (ta-C), W doped, and B doped ta-C were deposited by a special pulsed arc technique based on a non-equilibrium process. Their structure is mainly determined by the energy of the impinging the substrate Carbon ions and the following relaxation effect linked with the temperature of the coating during deposition. In addition, the implantation depth is heavily influenced by the angle of incidence of the ions. Furthermore, the deposition rate was checked for various pulse architectures, and for Boron (B) and Tungsten (W) doped C targets. There is a clear effect that a deposition rate above a certain threshold value negatively influences the hardness.
URI: http://research.bfu.bg:8080/jspui/handle/123456789/1972
ISBN: 978-619-253-038-9
Appears in Collections:Направления 9-10

Files in This Item:

File Description SizeFormat
583_598konf-bfu-2024.pdf1.03 MBAdobe PDFView/Open
View Statistics

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

 

Valid XHTML 1.0! DSpace Software Copyright © 2002-2010  Duraspace - Feedback