Research at Burgas Free University >
2. Издания на БСУ от международни конференции / Collection of Papers of BFU from International Conferences >
2024. Мултидисциплинарни иновации за социални промени: образователни трансформации и предприемачество >
Направления 9-10 >
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://research.bfu.bg:8080/jspui/handle/123456789/1972
|
Title: | ИЗСЛЕДВАНЕ ЕФЕКТА ОТ НЕРАВНОВЕСЕН ПРОЦЕС ВЪРХУ ТРИБОЛОГИЧНИТЕ СВОЙСТВА НА ЧИСТИ И ЛЕГИРАНИ ta-C ПОКРИТИЯ ПРИ ПРИЛАГАНЕ НА ИМПУЛСНО-ДЪГОВО КАТОДНО РАЗПРАШАВАНЕ |
Authors: | Ивайло, Долчинков |
Keywords: | Тетрахедрален аморфен Въглерод (ta-C) Нанасяне на филми чрез импулсно-дъгова технология Легиран тетрахедрален аморфен въглерод (ta-C) Tetrahedral amorphous Carbon ta-C Pulsed arc deposition Doped ta-C |
Issue Date: | 20-Nov-2024 |
Series/Report no.: | Конференция 2024;583-598 |
Abstract: | Свободни от водород тетрахедрални аморфни въглеродни покрития (ta
C), легирани с волфрам (W) и бор (B) бяха отложени чрез специална импулсно-дъгова
технология, базирана на неравновесен процес. Тяхната структура се определя глав
но от енергията на бомбардиране с въглеродни йони по субстрата и последващия
ефект на релаксация, свързан с температурата на покритието по време на отла
гане. В допълнение, дълбочината на имплантиране е силно повлияна от ъгъла на
падане на йоните. Скоростта на отлагане беше проверена за импулси с различни
характеристики, както за C катоди, така и за С катоди легирани с B и W. Има ясен
ефект, че скоростта на отлагане над определена прагова стойност влияе отрица
телно върху твърдостта. |
Description: | Hydrogen-free tetrahedral bonded amorphous Carbon films (ta-C), W doped, and
B doped ta-C were deposited by a special pulsed arc technique based on a non-equilibrium
process. Their structure is mainly determined by the energy of the impinging the substrate
Carbon ions and the following relaxation effect linked with the temperature of the coating
during deposition. In addition, the implantation depth is heavily influenced by the angle of
incidence of the ions. Furthermore, the deposition rate was checked for various pulse
architectures, and for Boron (B) and Tungsten (W) doped C targets. There is a clear effect
that a deposition rate above a certain threshold value negatively influences the hardness. |
URI: | http://research.bfu.bg:8080/jspui/handle/123456789/1972 |
ISBN: | 978-619-253-038-9 |
Appears in Collections: | Направления 9-10
|
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
|