|
Research at Burgas Free University >
4. Списание Компютърни науки и комуникации | Journal of Computer Science and Communications >
Компютърни науки и комуникации, 2013, Том 2, Брой 1 >
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://research.bfu.bg:8080/jspui/handle/123456789/2087
|
| Title: | СРАВНИТЕЛЕН АНАЛИЗ НА ФУНКЦИОНАЛНИТЕ И ИКОНОМИЧЕСКИ ПАРАМЕТРИ IGBT И MOSFET КЛЮЧОВЕ |
| Other Titles: | COMPARATIVE ANALYSIS OF FUNCTIONAL AND ECONOMIC PARAMETERS OF IGBT AND MOSFET SWITCHES |
| Authors: | Вълчев, Венцислав |
| Keywords: | илова електроника
електронни ключове
IGBT
MOSFET
power switches |
| Issue Date: | 28-Jan-2025 |
| Series/Report no.: | 2013 Том 2 Брой 1;с. 21-26 |
| Abstract: | Статията представя обзор и сравнение на най-популярните към момента електронни ключове за силовата електроника: биполярните транзистори с изолиран гейт (IGBT) и полевите транзистори с изолиран гейт (MOSFET). Изследването включва представителна извадка, формирана от наличните на пазара компоненти и снета за периода 2008 до 2013 година (общо над 1200 прибора). Анализирани и сравнени са
основните функционални характеристики на приборите и тяхното развитие за този период: максимални параметри, комутирана мощност, загуби и цена. От направения анализ са формирани изводи за преобладаващите предимства: IGBT са с по-голямо разнообразие, по-ниска цена, по-малки общите загуби за единица комутирана мощност, а MOSFET със сравнително по-малки загуби от проводимост. Натрупаната база данни за над 1200 прибора е достъпна на интернет адрес: http://www.tu-varna.bg/tu-varnaetm/images/Research/Valchev/transistor%20data.rar. |
| Description: | This paper presents an overview and comparison of the most popular at the moment electronic switches used in power electronics: bipolar transistors with an insulated gate (IGBTs) and field-effect transistors with insulated gate (MOSFETs). The study includes a sample formed from commercially available components and for the period 2008 to 2013 (a total of over 1200 devices). Analyzed and compared are the main functional characteristics of
the devices and their development during this period: the maximum current and voltage parameters, switching power losses and cost. The analysis leads to conclusions about the advantages of each of the two types of devices: IGBTs are with more variety, lower cost, lower total losses per unit commutated power; MOSFETs have relatively smaller conduction losses. The accumulated database of over 1200 devices is available at http://www.tu-varna.bg/tu-varnaetm/images/Research/Valchev/transistor%20data.rar. |
| URI: | http://research.bfu.bg:8080/jspui/handle/123456789/2087 |
| ISSN: | 1314-7846 |
| Appears in Collections: | Компютърни науки и комуникации, 2013, Том 2, Брой 1
|
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
|
